A.0.5
B.0.8
C.1.0
D.1.1
E.1.2
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A.指形束概念
B.環(huán)形束概念
C.窄形束概念
D.錐形束概念
E.筆形束概念
A.發(fā)射點(diǎn)
B.偏轉(zhuǎn)點(diǎn)
C.散射點(diǎn)
D.虛源
E.參考點(diǎn)
A.R85/2
B.U90/50
C.L90/L50
D.P80/20
E.U80/20
A.隨深度增加,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
B.隨深度增加,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
C.隨深度減小,低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
D.隨深度減小,高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
E.等劑量線不隨電子束能量而變化
A.隨深度增加,等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張
B.電子束入射距離較遠(yuǎn)
C.電子束入射能量較高
D.電子束中包含一定數(shù)量的X射線
E.電子束在其運(yùn)動徑跡上不易被散射
最新試題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
直線加速器使用的射野最大為()。