A.α射線是一束氦的原子核,帶正電
B.β射線是一束快速運(yùn)動(dòng)的電子,帶負(fù)電
C.γ射線是一種波長(zhǎng)很短的電磁波,不帶電
D.α、β、γ三種射線均不帶電
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A.焊接接頭種常見的缺陷是氣孔和冷裂紋
B.母材組織不均勻會(huì)導(dǎo)致噪聲較高
C.焊接接頭晶粒粗大影響檢測(cè)效果
D.應(yīng)使用CSK-ⅡA試塊調(diào)節(jié)靈敏度
A.按管子橫向缺陷的檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
B.利用大K值小晶片短前沿橫波斜探頭進(jìn)行檢測(cè)
C.探頭K值根據(jù)需要確定,當(dāng)一次波掃查不到焊接接頭根部時(shí),可利用三次波檢測(cè)
D.試塊的耦合面曲率應(yīng)與被探管徑相同
A.應(yīng)對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷作出缺陷類型和性質(zhì)的判斷
B.原則上采用直射波檢測(cè)缺陷各參數(shù),掃查靈敏度可根據(jù)需要確定,但不得使噪聲回波高度超過(guò)滿屏的20%
C.只須對(duì)位于判廢線及以上的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)得
D.只須對(duì)新產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)定
A.掃查靈敏度不低于Φ2-12dB
B.當(dāng)板厚<40mm,采用單面雙側(cè),利用直射波和反射波檢測(cè)
C.斜探頭入射點(diǎn)可在CSK-ⅠA試塊上測(cè)試
D.掃描線比例可用CSK-ⅠA試塊測(cè)試
A.應(yīng)測(cè)定缺陷尺寸,判斷出缺陷類型和缺陷性質(zhì)
B.應(yīng)測(cè)定缺陷尺寸,判斷出缺陷類型
C.對(duì)位于定量線及定量線以上的缺陷測(cè)定缺陷尺寸(指示長(zhǎng)度、高度)、波幅,并定出級(jí)別
D.對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷測(cè)定出缺陷尺寸(指示長(zhǎng)度)、波幅,并定出級(jí)別
最新試題
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
以下耦合劑中,可用于粗糙表面檢測(cè)的是()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
康普頓效應(yīng)對(duì)射線檢測(cè)的影響包括()
超聲波斜探頭的K值等于()的正切值。
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物質(zhì)對(duì)輻射的吸收是隨什么而變()
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最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()