A.按管子橫向缺陷的檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
B.利用大K值小晶片短前沿橫波斜探頭進(jìn)行檢測(cè)
C.探頭K值根據(jù)需要確定,當(dāng)一次波掃查不到焊接接頭根部時(shí),可利用三次波檢測(cè)
D.試塊的耦合面曲率應(yīng)與被探管徑相同
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A.應(yīng)對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷作出缺陷類型和性質(zhì)的判斷
B.原則上采用直射波檢測(cè)缺陷各參數(shù),掃查靈敏度可根據(jù)需要確定,但不得使噪聲回波高度超過(guò)滿屏的20%
C.只須對(duì)位于判廢線及以上的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)得
D.只須對(duì)新產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)定
A.掃查靈敏度不低于Φ2-12dB
B.當(dāng)板厚<40mm,采用單面雙側(cè),利用直射波和反射波檢測(cè)
C.斜探頭入射點(diǎn)可在CSK-ⅠA試塊上測(cè)試
D.掃描線比例可用CSK-ⅠA試塊測(cè)試
A.應(yīng)測(cè)定缺陷尺寸,判斷出缺陷類型和缺陷性質(zhì)
B.應(yīng)測(cè)定缺陷尺寸,判斷出缺陷類型
C.對(duì)位于定量線及定量線以上的缺陷測(cè)定缺陷尺寸(指示長(zhǎng)度、高度)、波幅,并定出級(jí)別
D.對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷測(cè)定出缺陷尺寸(指示長(zhǎng)度)、波幅,并定出級(jí)別
A.采用縱波雙晶直探頭在堆焊層側(cè)檢測(cè)堆焊層內(nèi)缺陷,堆焊層下再熱裂紋和堆焊層與基板間未熔合
B.采用雙晶斜探頭在堆焊層側(cè)檢測(cè)堆焊層內(nèi)缺陷和堆焊層層下再熱裂紋
C.采用縱波單直探頭從母材側(cè)檢測(cè)堆焊層內(nèi)缺陷和堆焊層與基板間未熔合
D.采用雙晶直探頭檢測(cè)時(shí),探頭的隔聲層應(yīng)平行于堆焊層方向,并垂直于堆焊層方向掃查
A.用底波法調(diào)節(jié)靈敏度時(shí),使B5達(dá)50%
B.當(dāng)板厚小于20mm時(shí),應(yīng)以F2來(lái)評(píng)價(jià)缺陷
C.當(dāng)板厚小于20mm時(shí),一般應(yīng)根據(jù)F1波顯示情況,需要時(shí)可以F2來(lái)評(píng)價(jià)缺陷
D.在鋼板邊緣50mm范圍內(nèi)作全面掃查
最新試題
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過(guò)一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
底片清晰度和膠片與被照件貼緊程度的關(guān)系是()
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為()
超聲波探頭上標(biāo)稱的頻率是()
影響較大的散射線通常來(lái)自()