版圖設(shè)計的基本前提是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。