A.具有放大特性
B.具有單向?qū)щ娦?br />
C.具有改變電壓特性
D.具有增強(qiáng)內(nèi)電場特性
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A.溫度提高導(dǎo)電能力提高
B.有兩種載流子
C.電阻率很小,接近金屬導(dǎo)體
D.參雜質(zhì)后導(dǎo)電能力提高
A.PNP型半導(dǎo)體/NPN型半導(dǎo)體
B.N型半導(dǎo)體/P型半導(dǎo)體
C.PN結(jié)/PN結(jié)
D.P型半導(dǎo)體/N型半導(dǎo)體
A.很強(qiáng)/更強(qiáng)
B.很強(qiáng)/降低
C.很弱/提高
D.很弱/更弱
A.空穴/自由電子
B.自由電子/空穴
C.空穴/共價(jià)鍵電子
D.負(fù)離子/正離子
A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
最新試題
對(duì)于運(yùn)算放大器而言,下列說法錯(cuò)誤的是()。
在三極管基本放大電路中,為了獲得最大的不失真電壓放大,應(yīng)該將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在三極管的()。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)的值為()。
PNP型三極管處于放大狀態(tài)時(shí),三個(gè)極的電位關(guān)系為()。
已經(jīng)導(dǎo)通的可控硅,欲使其關(guān)斷,下列哪種方法不可取的是()。
晶閘管關(guān)斷條件是()。
對(duì)于單管共射極基本放大電路,若靜態(tài)工作點(diǎn)不合適,比較方便的做法是()。
可控硅關(guān)斷的條件是()。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)的值為()。
關(guān)于晶閘管的下列說法錯(cuò)誤的是()。