A.PNP型半導(dǎo)體/NPN型半導(dǎo)體
B.N型半導(dǎo)體/P型半導(dǎo)體
C.PN結(jié)/PN結(jié)
D.P型半導(dǎo)體/N型半導(dǎo)體
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A.很強(qiáng)/更強(qiáng)
B.很強(qiáng)/降低
C.很弱/提高
D.很弱/更弱
A.空穴/自由電子
B.自由電子/空穴
C.空穴/共價(jià)鍵電子
D.負(fù)離子/正離子
A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
A.自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B.無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體,自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C.對(duì)于P型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D.對(duì)于N型半導(dǎo)體,空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
最新試題
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)的值為()。
在三極管共發(fā)射極放大電路中,如果基極偏置電流IB太大,將會(huì)產(chǎn)生非線性(),如果基極偏置電流IB太小,將會(huì)產(chǎn)生非線性()。
集成運(yùn)放的兩個(gè)信號(hào)輸入端分別為()。
晶閘管的結(jié)構(gòu)是()。
在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形,方便的做法是應(yīng)()。
晶閘管關(guān)斷條件是()。
將單相半波整流電路中的二極管換成晶閘管并設(shè)計(jì)相關(guān)的觸發(fā)電路,則該電路的功能為()。
已經(jīng)導(dǎo)通的可控硅,欲使其關(guān)斷,下列哪種方法不可取的是()。
對(duì)運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō),錯(cuò)誤的說(shuō)法是()。
理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是()。(Au開環(huán)電壓放大倍數(shù),ri輸入電阻,r0輸出電阻)