單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)因素不能影響晶體成長(zhǎng)速率（）
A.溫度
B.壓力
C.晶體大小
D.雜質(zhì)
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1.單項(xiàng)選擇題由外來雜質(zhì)誘導(dǎo)成核過程稱（）
A.初級(jí)成核
B.次級(jí)成核
C.均相成核
D.非均相成核
2.單項(xiàng)選擇題在（）可以通過外因引起成核過程
A.不穩(wěn)區(qū)
B.穩(wěn)定區(qū)
C.介穩(wěn)區(qū)
D.過飽和區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是過飽和度的表示法（）
A.濃度差
B.過飽和度比
C.相對(duì)過飽和度
D.溶解度差
4.單項(xiàng)選擇題過飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱（）
A.飽和度
B.過飽和度
C.溶解度
D.溶解度差
5.單項(xiàng)選擇題微觀粒子的規(guī)則排列可以按不同方向發(fā)展，即各晶面以不同的速率生長(zhǎng)，從而形成不同外形的晶體，這種習(xí)性以及最終形成的晶體外形稱為（）
A.晶習(xí)
B.晶系
C.晶界
D.晶胞
最新試題
在蒸發(fā)操作中，（）熱量損失低。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
回轉(zhuǎn)式薄膜蒸發(fā)器突出的優(yōu)點(diǎn)是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是過飽和度的表示法（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）蒸發(fā)時(shí)，它所用的設(shè)備和工藝條件都最為簡(jiǎn)單
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通常結(jié)晶都在（）區(qū)操作
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
過飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓蒸發(fā)時(shí)，二次蒸汽（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于溶解度隨溫度變化緩慢的物質(zhì)，可用（）結(jié)晶的方法分離
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
加晶種控制結(jié)晶，使溶液的過飽和度控制在介穩(wěn)區(qū)中，不會(huì)出現(xiàn)（）現(xiàn)象
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硝酸鉀（KNO3）溶液采用（）獲得溶質(zhì)的KNO3
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題