單項選擇題在（）可以通過外因引起成核過程
A.不穩(wěn)區(qū)
B.穩(wěn)定區(qū)
C.介穩(wěn)區(qū)
D.過飽和區(qū)
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1.單項選擇題下列哪個不是過飽和度的表示法（）
A.濃度差
B.過飽和度比
C.相對過飽和度
D.溶解度差
2.單項選擇題過飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱（）
A.飽和度
B.過飽和度
C.溶解度
D.溶解度差
3.單項選擇題微觀粒子的規(guī)則排列可以按不同方向發(fā)展，即各晶面以不同的速率生長，從而形成不同外形的晶體，這種習(xí)性以及最終形成的晶體外形稱為（）
A.晶習(xí)
B.晶系
C.晶界
D.晶胞
4.單項選擇題回轉(zhuǎn)式薄膜蒸發(fā)器突出的優(yōu)點是（）
A.結(jié)構(gòu)簡單
B.動力消耗小
C.處理量大
D.對容易結(jié)晶、結(jié)垢的物料以及高黏度的熱敏性物料都適用
5.單項選擇題（）屬于自然循環(huán)蒸發(fā)器
A.升膜式蒸發(fā)器
B.降膜式蒸發(fā)器
C.刮板式蒸發(fā)器
D.列文管式蒸發(fā)器
最新試題
采用逆流加熱的蒸發(fā)器，溶液的濃度越來越大，溫度越來越（）
題型：單項選擇題
在結(jié)晶操作中，若溶液過飽和度大，冷卻速度快，強烈地攪拌，得到的晶體顆粒（）
題型：單項選擇題
由外來雜質(zhì)誘導(dǎo)成核過程稱（）
題型：單項選擇題
接觸成核屬于（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是過飽和度的表示法（）
題型：單項選擇題
在間歇結(jié)晶操作中，（）操作方法能夠產(chǎn)生預(yù)定粒度的、合乎質(zhì)量要求的晶體
題型：單項選擇題
微觀粒子的規(guī)則排列可以按不同方向發(fā)展，即各晶面以不同的速率生長，從而形成不同外形的晶體，這種習(xí)性以及最終形成的晶體外形稱為（）
題型：單項選擇題
生蒸氣的濕度與溶液沸點之間的差值，稱為（）
題型：單項選擇題
在結(jié)晶操作中，加入晶種粒子大，長出的結(jié)晶顆粒（）
題型：單項選擇題
下列減壓蒸發(fā)的優(yōu)點之一是（）
題型：單項選擇題