A.波陣面的幾何形狀
B.材料晶粒度
C.材料的粘滯性
D.以上全部
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A.二次反射的橫波與入射波平行但方向相反
B.入射角為30°時(shí)反射率最高
C.入射角為45°時(shí)反射率高
D.入射角為60°時(shí)反射率最低
A.縱波折射角大于入射角
B.縱、橫波折射角均小于入射角
C.橫波折射角小于入射角
D.以上全不對
A.縱波折射角等于90°時(shí)的橫波入射角
B.橫波折射角等于90°時(shí)的縱波入射角
C.縱波折射角等于90°時(shí)的縱波入射角
D.縱波入射角等于90°時(shí)的折射角
A.折射縱波等于90°時(shí)的橫波入射角
B.折射橫波等于90°時(shí)的縱波入射角
C.折射縱波等于90°時(shí)的縱波入射角
D.入射縱波接近90°時(shí)的折射角
A.反射縱波
B.反射橫波
C.折射縱波和折射橫波
D.以上都有
最新試題
()主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測。
單探頭法容易檢出()。
調(diào)整檢測靈敏度的目的在于檢測出工件中規(guī)定大小的缺陷,并對缺陷進(jìn)行()。
測長法是根據(jù)測長缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測得的缺陷長度稱為缺陷的()。
底波高度法不用試塊,可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對大小,操作方便,適用于()的工件。
()是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測出規(guī)定大小缺陷的能力,一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
()可以檢測出與探測面相垂直的面狀缺陷。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。