A.數(shù)碼鎖存器
B.電子開關(guān)
C.電阻網(wǎng)絡(luò)
D.求和電路
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你可能感興趣的試題
A.溫度
B.壓力
C.流量
D.速度
A.施密特觸發(fā)器
B.多諧振蕩器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.石英晶體振蕩器
A.觸發(fā)翻轉(zhuǎn)
B.暫態(tài)維持
C.返回恢復(fù)
D.比較放大
A.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)
B.沒有外加信號觸發(fā)時(shí),電路處于穩(wěn)態(tài)
C.沒有外加信號觸發(fā)時(shí),電路處于暫穩(wěn)態(tài)
D.有觸發(fā)信號時(shí),電路進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài),經(jīng)過一段時(shí)間后電路自動(dòng)返回穩(wěn)態(tài)。
A.施密特觸發(fā)器
B.多諧振蕩器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.集成定時(shí)器
最新試題
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。