A.器件的狀態(tài)
B.電平的高低
C.脈沖的有無
D.數(shù)量的大小
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A.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是離散的信號;
B.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是連續(xù)的信號;
C.屬于二值信號,用高電平和電平來表示;
D.無規(guī)律變化信號。
A.小規(guī)模集成電路(SSI)
B.中規(guī)模集成電路(MSI)
C.大規(guī)模集成電路(LSI)
D.超大規(guī)模集成電路(VLSI)
A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。