A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
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A.異步清零
B.輸入使能
C.CP
D.輸出使能
A.上升沿
B.下降沿
C.高電平
D.低電平
A.上升沿
B.下降沿
C.高電平
D.低電平
A.上升(下降)
B.高電平
C.低電平
D.無(wú)法確定
A.D
B.T
C.RS
D.T
最新試題
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是()
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén),可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。