A.74HC
B.74HCT
C.54HC
D.4000B
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B.接入開(kāi)門(mén)電阻
C.接入濾波電容
D.降低供電電壓
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
A.3kΩ
B.2kΩ
C.700Ω
D.300Ω
A.固定接0
B.固定接1
C.同時(shí)使能
D.分時(shí)使能
最新試題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
電可擦除的PROM器件是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()