A、正壓電效應
B、逆壓電效應
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
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A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對
A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2)
B、2Z2/(Z1+Z2)
C、4Z1×Z2/(Z1+Z2)2
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
最新試題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在()材生產(chǎn)線上的應用最為廣泛。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導率測量()測量功能的通用型儀器。
當波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當隨之下降。
對于長條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導率、磁導率、邊條效應、提離效應等。
當波束不再與缺陷相遇,則回波()
磁性測厚技術(shù)包括機械式和()兩種測量方法。
各類渦流檢測儀器的工作原理和()是相同的。
渦流檢測線圈是在被檢測導電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()