圖10-31所示正弦電路中，Z=（40+j30）Ω，XL=10Ω，有效值U2=200V，則總電壓有效值U為（）V。
A.178.9
B.226
C.120
D.60
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圖10-30所示電路中，AB間的戴維南等效電路中的電壓源的內(nèi)復(fù)阻抗Z為（）Ω。
A.-j2
B.-j7.5
C.j7.5
D.j2
圖10-29所示正弦電路中，R=6Ω，ωL=8Ω，1／ωC=4Ω，則L與總電流的相位關(guān)系為（）。
A.L滯后于126.9°
B.L超前于53.1°
C.L滯后于53.1°
D.不能確定
圖10-28所示正弦電路中，相量=5∠0°A，=50∠π／4V，電感電壓有效值UL=25V，則阻抗Z為（）Ω。
A.7.07+j7.07）
B.7.07+j2.07）
C.7.07+j12.07）
D.7.07-j12.07）
A.減少用電設(shè)備的有功功率
B.減少用電設(shè)備的無功功率
C.減少電源向用電設(shè)備提供的視在功率
D.增大線路電流
A.升高
B.降低
C.不變
D.無法判定
最新試題
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。
在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。
兩個(gè)平行帶電平板，每個(gè)平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是（）。
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場(chǎng)為（）。
圖10-68所示電路在開關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。
如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。
如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場(chǎng)力為（）。