在平行板電容器中，有兩層導電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導G=（）S。

以點電荷Q所在點為球心，距點電荷Q的距離R處的電場強度E：（）。

如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。

如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點處電場強度為（）。

圖10-65所示電路，當開關s在位置1時已達穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時刻將開關s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。

如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場強度為（）。

在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點下部磁感應強度為B2=12i+16j，則A點上部的磁感應強度B1為（）。

在圖10-62所示電路中，開關S閉合后已達穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0瞬間將開關S斷開，則i（0+）=（）A。

真空中有一個半徑為a的金屬球，其電容為（）。

圖10-70所示電路的時間常數(shù)τ為（）us。