如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。

半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。

如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。

兩個(gè)平行帶電平板，每個(gè)平板的面積為S，相距d，且d＜＜S，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電容量是（）。

圖10-65所示電路，當(dāng)開關(guān)s在位置1時(shí)已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時(shí)刻將開關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。

如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。

如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。

如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場(chǎng)為（）。

真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。

如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。