半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
A.79.6
B.9.82
C.16.67
D.29.92
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A.8.86mA
B.7.02μA
C.3.51μA
D.1.76mA
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。
A.10-7
B.4×10-8
C.2×10-7
D.10-8
如圖10-80所示,平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S/m,極板面積S=0.6m2,極板間距離d=3cm,則該電容器的漏電阻為()。
A.0.5MΩ,
B.1.0kΩ
C.1.0MΩ
D.0.5kΩ
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
A.12.8
B.8.33
C.1.67
D.16.66
如圖10-78所示,一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點(diǎn))。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
A.333.3
B.666.7
C.500
D.1000
最新試題
如圖10-71,半徑為a,電荷線(xiàn)密度ρ(r)為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線(xiàn)上的電場(chǎng)強(qiáng)度為()。
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn),該電路將產(chǎn)生過(guò)渡過(guò)程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>
電真空中無(wú)限長(zhǎng)、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ(σ是常數(shù)),則圓筒內(nèi)與軸線(xiàn)相距r處的電場(chǎng)強(qiáng)度為()。
真空中有一載流I=500A的無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線(xiàn)(圖10-84),距該導(dǎo)線(xiàn)1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為()T。
如圖10-80所示,平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S/m,極板面積S=0.6m2,極板間距離d=3cm,則該電容器的漏電阻為()。
一同軸電纜長(zhǎng)1=2m,其芯線(xiàn)導(dǎo)體半徑r1=1cm,鉛皮外殼內(nèi)半徑r2=6cm,導(dǎo)體間絕緣材料的電阻率ρ=1×109Ω*m,當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與外殼間電壓U0為500V時(shí),絕緣層中漏電流為()。
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球外的電場(chǎng)為()。
在R、L串聯(lián)電路中,激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)(零狀態(tài)響應(yīng))iL(t)中()。
如圖10-76所示,圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì),所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0,下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1,所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1,極板的間距為d,該電容器的電容量為()。
在圖10-62所示電路中,開(kāi)關(guān)S閉合后已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài),在t=0瞬間將開(kāi)關(guān)S斷開(kāi),則i(0+)=()A。