某有限公司為大幅度降低噸銅成本、增加效益、充分挖掘潛力和利用閃速爐首次冷修的良機(jī)，決定進(jìn)行擴(kuò)建改造工程，將銅的產(chǎn)量由15萬t/a提高到21萬t/a。其中：陽極銅產(chǎn)量由15萬t/a提高到21萬t/a，其中，19萬t/a陽極銅生產(chǎn)陰極銅，2萬t/a陽極銅作為產(chǎn)品直接外銷；陰極銅產(chǎn)量由15萬t/a提高到19萬t/a；硫酸（100%硫酸）產(chǎn)量由49.5萬t/a提高到63.4萬t/a。改擴(kuò)建工程內(nèi)容包括閃速爐熔煉工序、貧化電爐及渣水淬工序、吹煉工序、電解精煉工序、硫酸工序五個(gè)工序的改擴(kuò)建。擴(kuò)建改造工程完成后，硫的回收率由95.15%增至95.5%，SO₂排放量由2131t/a降至1948t/a，煙塵排放量由139.7t/a降至133t/a；廢水排放總量為375.4萬t/a，廢水中主要污染物為Cu、As、Pb。工業(yè)水循環(huán)率由91.7%增至92.5%。改擴(kuò)建工程完成后，生產(chǎn)過程中的廢氣主要來源于干燥尾氣、環(huán)保集煙煙氣、陽極爐煙氣、硫酸脫硫尾氣（通過環(huán)保集煙罩收集閃速爐等冶金爐的泄漏煙氣）4個(gè)高架排放源。其污染源主要污染物排放情況見表1。項(xiàng)目冶煉過程中產(chǎn)生水淬渣、轉(zhuǎn)爐渣；污酸、酸性廢水處理過程中產(chǎn)生含砷渣、石膏、中和渣。中和渣浸出試驗(yàn)結(jié)果見表2。

計(jì)算環(huán)境空氣評價(jià)等級、確定評價(jià)范圍和環(huán)境空氣現(xiàn)狀監(jiān)測點(diǎn)數(shù)。各污染源SO₂最大地面濃度及距離詳見表3。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放。《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m³/d，實(shí)際處理能力為6.5萬m³/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH₃-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標(biāo)準(zhǔn)（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材，經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知，擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。