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A.10%
B.15%
C.20%
D.50%
E.80%

A.隨深度的增加，低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張，高值等劑量線向內(nèi)收縮，并隨電子束能量而變化
B.隨深度的增加，低值等劑量線向內(nèi)收縮，高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張，并隨電子束能量而變化
C.隨深度的增加，低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張，高值等劑量線向內(nèi)收縮，不隨電子束能量而變化
D.隨深度的增加，低值等劑量線向內(nèi)收縮，高值等劑量線向內(nèi)收縮，不隨電子束能量而變化
E.隨深度的增加，低值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張，高值等劑量線向外側(cè)擴(kuò)張，并隨電子束能量而變化

A.路徑大大超過(guò)最大射程
B.路徑大大小于最大射程
C.路徑與最大射程相等
D.路徑與能量無(wú)關(guān)
E.能量越小射程越大

A.能量越高射程越大
B.能量越低射程越大
C.能量越高射程越小
D.能量變化射程不變
E.能量不變射程隨機(jī)變化

A.電子線中心軸上最大劑量點(diǎn)的深度R₁₀₀
B.電子線PDD劑量跌落最陡點(diǎn)的切線與Dm水平線交點(diǎn)的深度
C.電子線入射表面下0.5cm
D.有效治療點(diǎn)深度R₈₅
E.固定深度2cm

A.射野較大時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
B.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
C.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野增大時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
D.低能時(shí)射野對(duì)PDD的影響較大
E.對(duì)較高能量電子束，使用較小的射野時(shí)PDD隨射野的變化較小

A.PDD表面劑量減少、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
B.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
C.PDD表面劑量增加、坪區(qū)變窄、劑量梯度減少以及X射線污染增加
D.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度增大以及X射線污染增加
E.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染減少

A.劑量建成區(qū)、高劑量坪區(qū)、低劑量區(qū)
B.表面劑量區(qū)、低劑量坪區(qū)、劑量上升區(qū)
C.表面劑量區(qū)、劑量跌落區(qū)、低劑量坪區(qū)以及X射線污染區(qū)
D.表面劑量區(qū)、高劑量坪區(qū)、劑量跌落區(qū)以及X射線污染區(qū)
E.劑量建成區(qū)、高劑量坪區(qū)、劑量跌落區(qū)以及X射線污染區(qū)

A.5cm
B.6cm
C.8cm
D.10cm
E.15cm

A.銅
B.木頭
C.低熔點(diǎn)鉛
D.鉛
E.有機(jī)玻璃