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A.20cm×20cm×10cm
B.25cm×25cm×20cm
C.25cm×25cm×25cm
D.30cm×30cm×30cm
E.40cm×40cm×30cm

A.高靈敏度、高抗輻射能力、溫度影響小、靈敏體積小
B.高靈敏度、高抗輻射能力、高能量響應范圍、溫度影響小
C.高靈敏度、能量響應范圍寬、溫度影Ⅱ向小
D.高靈敏度、能量響應范圍寬、靈敏體積小

A.該材料易于加工
B.該材料不易損壞
C.該材料價格便宜
D.該材料對測量結果影響小
E.該材料顏色適合

A.電離室的方向性、桿效應及溫度氣壓的影響
B.電離室的工作電壓、桿效應及溫度氣壓的影響
C.電離室的工作電壓、方向性、桿效應及溫度氣壓的影響
D.電離室的工作電壓、方向性、桿效應及溫度氣壓的影響
E.電離室的工作電壓、方向性、一致性及溫度氣壓的影響

A.空氣劑量計、半導體劑量計、膠片劑量計、熒光板
B.熱釋光劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計、光電倍增管
C.電離室型劑量儀、半導體劑量計、熱釋光劑量儀、膠片劑量計
D.非晶硅探測器、電離室型劑量儀、半導體劑量計、膠片劑量計
E.熒光板、半導體劑量計、膠片劑量計、熱釋光劑量儀

A.加上俄歇電子的能量時
B.加上韌致輻射損失的能量時
C.忽略韌致輻射損失的能量時
D.忽略俄歇電子的能量時
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時

A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy

A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy

A.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達到最小
B.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達到最大
C.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加先增加然后減少，直到吸收劑量達到最小
D.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達到最小
E.介質內的吸收劑量隨介質表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達到最大

A.介質中某小區(qū)域的電子數(shù)目達到某種重量平衡
B.介質中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時間內固定不變
C.介質中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質中某小區(qū)域次級電子帶走的入射光子貢獻的能量與入射該區(qū)的次級電子帶來的能量相等
E.介質中電子數(shù)量達到某一數(shù)值，與另外一處數(shù)目相同