A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
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A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器
A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是
A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像
最新試題
DR探測(cè)器可用的是()作為顯示中和劑的是()含5個(gè)結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()顯影液使用的是()能用于IP的是()
CR圖像處理不包括()
應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是()
CR的中文全稱為()DR的中文全稱為()
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200,2mR對(duì)應(yīng)的S值是()
讀取裝置輸出的信號(hào)是()
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()
CR與DR系統(tǒng)應(yīng)用比較,相同點(diǎn)是()
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是()
光激勵(lì)熒光體中,為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入()