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與干法刻蝕相比,濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設(shè)備簡單。
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在刻蝕中用到大量的化學(xué)氣體,通常用氟刻蝕二氧化硅。
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在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。
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