版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？