單項(xiàng)選擇題限位板主要限制的是哪個(gè)部件的位移()
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題洛氏硬度測(cè)量時(shí)取點(diǎn)個(gè)數(shù)為()
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)壓花錨的檢測(cè)數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
3.單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對(duì)鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測(cè)數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
4.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
5.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為()
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題