單項(xiàng)選擇題TD-LTE對(duì)于小區(qū)合并的要求是:一個(gè)載波小區(qū)支持()個(gè)雙通道RRU。

A、2個(gè)
B、4個(gè)
C、6個(gè)
D、8個(gè)


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1.單項(xiàng)選擇題TD-LTE IP地址的基本要求,每個(gè)基站配置不高于()個(gè)IP地址。

A、1個(gè)
B、2個(gè)
C、3個(gè)
D、4個(gè)

2.單項(xiàng)選擇題TD-LTE對(duì)于傳輸口的要求是()。

A、GE光口
B、GE電口
C、FE光口
D、FE電口

3.單項(xiàng)選擇題TD-LTE D頻段8通道RRU的發(fā)射功率的基本要求是每通道()。

A、3W
B、5W
C、10W
D、20W

4.單項(xiàng)選擇題TD-LTE F頻段8通道RRU的發(fā)射功率的基本要求是每通道()。

A、3W
B、5W
C、10W
D、20W

5.單項(xiàng)選擇題TD-LTE E頻段2通道RRU的發(fā)射功率的基本要求是每通道()。

A、5W
B、10W
C、20W
D、40W

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在對(duì)PTN設(shè)備故障定位時(shí),最直接、直觀的查找故障的方法是()

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以下哪種技術(shù)是針對(duì)1GB/s以上的PON標(biāo)準(zhǔn),是一種支持全業(yè)務(wù)、效率更高的解決方案()

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以下哪一項(xiàng)是承載、傳遞信號(hào)的載體()

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以下不屬于PTN技術(shù)的是()

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在通信企業(yè)宏觀市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)環(huán)境的研究中,影響經(jīng)濟(jì)環(huán)境因素主要有兩類(lèi):間接影響和直接影響,下列屬于間接影響因素是()。

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以下哪種方法適用于排除傳輸外部設(shè)備的問(wèn)題()

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