A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
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A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長1/10時(shí)對探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分,板波可分為SH波和蘭姆波,探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān),而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí),只考慮相速度,無須考慮群速度
最新試題
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
測長法是根據(jù)測長缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測得的缺陷長度稱為缺陷的()。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí),適用的工件厚度為()。
()是影響缺陷定量的因素。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定,而缺陷的大小可由缺陷的面積或()來表征。
儀器水平線性影響()。
()是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測出規(guī)定大小缺陷的能力,一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射,這種波是()。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。