填空題在一塊半導體晶片上采取一定的摻雜工藝,使兩邊分別形成P型和N型半導體,那么在這兩種半導體的交界處會形成一層很薄的層,稱為()。
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最新試題
缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準反射體聲壓之比。
題型:判斷題
超聲波在圓柱內反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉換,且一次反射橫波再經另一側圓柱面波形轉換成二反射縱波,返回探頭接收,會形成等邊的三角形遲到回波。
題型:判斷題
衍射時差法對缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。
題型:判斷題
經變形橫波轉換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
題型:判斷題
無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當大的差異。
題型:判斷題
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
題型:判斷題
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
題型:判斷題
儀器時基線比例一般在試塊上調節(jié),當工件與試塊的聲速不同時,儀器的時基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
題型:判斷題
當探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實際位置。
題型:判斷題
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應測定材料的衰減系數(shù),計算時應考慮介質衰減的影響。
題型:判斷題