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A.密度
B.彈性模量
C.泊松比
D.以上全部
A.只繞射不反射
B.既繞射又反射
C.無繞射只反射
A.不變
B.增大
C.變小
D.無規(guī)律變化
A.12
B.6
C.3
D.15
A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
最新試題
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流,在外加磁場(chǎng)的作用下,在工件中形成超聲波波源。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位,必要時(shí)可加匹配線圈。