A.密度
B.彈性模量
C.泊松比
D.以上全部
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A.只繞射不反射
B.既繞射又反射
C.無繞射只反射
A.不變
B.增大
C.變小
D.無規(guī)律變化
A.12
B.6
C.3
D.15
A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
A.約等于近場長度
B.約等于近場長度的0.6倍
C.約等于近場長度1.6倍
最新試題
儀器時基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當工件與試塊的聲速不同時,儀器的時基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
分辯率可使用通用探傷儀進行測量,測試時儀器抑制置“零”或“開”位,必要時可加匹配線圈。
超聲波在圓柱內(nèi)反射,如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換,且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波,返回探頭接收,會形成等邊的三角形遲到回波。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
水浸式探頭主要特點是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
檢測曲面工件時,探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計算公式與圓柱形平面反射體的表達式進行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
在檢測晶粒粗大和大型工件時,應(yīng)測定材料的衰減系數(shù),計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
對于比正??v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。