根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小，聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點(diǎn)和氣孔等缺陷。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

衍射時(shí)差法探傷，當(dāng)有缺陷存在時(shí)，在直通波和底面反射波之間，接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。

超聲波檢測(cè)中如果被檢工件衰減嚴(yán)重，定量會(huì)受到影響。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。