問(wèn)答題玉米卷葉基因(e)和矮稈基因(d)位于第三染色體上,相距18個(gè)單位,而抗銹基因(R)和窄葉基因(N)位于第10染色體上,相距24個(gè)單位。顯性基因E、D、R和N的純合植株同這些基因的隱性植株雜交,確定:在F2代中穩(wěn)定的矮稈、抗銹和正常葉的植株的期望百分率是多少?
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順?lè)醋佑纸校ǎ?/p>
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