單項(xiàng)選擇題層生長理論的缺陷是()

A.不能解釋晶體在低過飽和度條件下形成二維核
B.不能解釋舊層生長
C.不能解釋二維核的形成
D.不能解釋新層生長


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2.多項(xiàng)選擇題晶體生長模型主要有()

A.層生長
B.液-固轉(zhuǎn)變生長
C.氣-固轉(zhuǎn)變生長
D.螺旋生長

3.多項(xiàng)選擇題晶面上包含周期性鍵鏈PBC多的晶面()

A.面網(wǎng)密度小
B.生長速度慢
C.面網(wǎng)密度大
D.生長速度快

4.單項(xiàng)選擇題證明螺旋生長理論模型的現(xiàn)象有()

A.晶面上有螺紋
B.晶面上有蝕坑
C.晶面上有生長丘
D.晶體內(nèi)有缺陷

5.單項(xiàng)選擇題空間格子表達(dá)了()

A.晶體結(jié)構(gòu)的空間對(duì)稱
B.晶體結(jié)構(gòu)中相同質(zhì)點(diǎn)的排列方式
C.晶體結(jié)構(gòu)的平移對(duì)稱
D.晶體結(jié)構(gòu)所有質(zhì)點(diǎn)的排列方式