A.顯影溫度18~20℃
B.定影溫度16~24℃
C.顯影時(shí)間4~6min
D.干燥溫度大于40℃
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A.光通量一定，表面面積大、表面照度大
B.光通量一定，表面面積大、表面照度小
C.面積一定，光通量大、表面照度大
D.面積一定，光通量大、表面照度小
A.水射束與被檢面夾角以30°為宜
B.水溫以10°~40°為宜
C.水溫40°以上為宜
D.噴嘴與工件表面的距離約為100mm 為宜
A.顯影
B.定影
C.底片干燥
D.裁切底片
A.上釉的用過(guò)濾性微粒滲透檢測(cè)劑進(jìn)行檢測(cè)
B.上釉的用常規(guī)滲透檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
C.未上釉的用過(guò)濾性微粒滲透檢測(cè)劑進(jìn)行檢測(cè)
D.未上釉的用使用常規(guī)滲透檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
A.采取專門(mén)的防護(hù)手段
B.不斷檢查職業(yè)照射條件
C.能有效控制照射劑量
D.采取專門(mén)的安全措施
最新試題
對(duì)滲透探傷無(wú)影響的是（）。
磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用（）方法。
采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測(cè)時(shí)，缺陷定位說(shuō)法正確的有（）。
與一次射線相比，散射線的（）。
阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開(kāi)口缺陷的固體污染物有（）。
超聲波檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷，在不同的方向上檢測(cè)，缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài)，判定為（）。
單晶體金屬特點(diǎn)有（）。
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用（）填補(bǔ)工件的較薄部分，使透照厚度差減小的方法。
關(guān)于相似相溶經(jīng)驗(yàn)法則的說(shuō)法正確的有（）。
超聲波檢測(cè)夾渣缺陷反射波特征包括（）。