A.物體的內(nèi)能不會(huì)改變
B.物體內(nèi)能是分子動(dòng)能和勢(shì)能的總和
C.任何物體都有內(nèi)能
D.物體內(nèi)能越小，系統(tǒng)越穩(wěn)定
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A.對(duì)應(yīng)單位的檢測(cè)能力
B.對(duì)應(yīng)單位產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
C.覆蓋所有產(chǎn)品的檢測(cè)范圍
D.對(duì)應(yīng)單位檢測(cè)對(duì)象的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
A.涂層成膜慢且均勻
B.涂層成膜快且均勻
C.附著力弱
D.附著力強(qiáng)
A.熒光強(qiáng)度
B.黏度
C.著色強(qiáng)度
D.對(duì)比度
A.滲透劑污染
B.操作不當(dāng)
C.工件結(jié)構(gòu)外形
D.工件表面外觀缺陷
A.二維點(diǎn)陣式
B.逐行掃描
C.單行掃描
D.逐點(diǎn)掃描
最新試題
磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用（）方法。
關(guān)于相似相溶經(jīng)驗(yàn)法則的說(shuō)法正確的有（）。
非熒光磁粉檢測(cè)時(shí)，可見(jiàn)光照度不小于1000lx，并應(yīng)避免（）。
工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行（）。
無(wú)損檢測(cè)設(shè)備、材料采購(gòu)驗(yàn)收內(nèi)容包括（）驗(yàn)收。
單晶體金屬特點(diǎn)有（）。
采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測(cè)時(shí)，缺陷定位說(shuō)法正確的有（）。
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí)，為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度，檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭（）。
冷裂紋常見(jiàn)的有（）。
滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有（）。