A.特定點(diǎn)相互對(duì)應(yīng)技術(shù)
B.直接或曲線標(biāo)志變換技術(shù)
C.曲面變換技術(shù)
D.體積變換技術(shù)
E.交互或變換技術(shù)
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A.<1mm
B.<2mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
A.是通過(guò)觸診或影像學(xué)檢查確定的腫瘤細(xì)胞集中的體積
B.可以是原發(fā)病灶
C.可以使轉(zhuǎn)移的淋巴結(jié)
D.包含潛在的受侵犯組織
E.是與照射技術(shù)有關(guān)的區(qū)域
A.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加,其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加,并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加,其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少,并且X線污染減小
A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個(gè)不同電離粒子不能協(xié)同作用來(lái)殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上,主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響,因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對(duì)劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
最新試題
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
直線加速器使用的射野最大為()。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。