多項(xiàng)選擇題LTE-Uu接口的控制平面包括（）

A、NAS層
B、RRC層
C、PDCP
D、RLC層
E、MAC層
F、PHY層


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1.多項(xiàng)選擇題E-UTRAN內(nèi)部的移動(dòng)性過(guò)程包括（）

A、小區(qū)選擇過(guò)程、小區(qū)重選過(guò)程
B、切換、數(shù)據(jù)前向、無(wú)線鏈路失敗
C、無(wú)線接入網(wǎng)共享
D、UE釋放

2.多項(xiàng)選擇題在前往外場(chǎng)測(cè)試之前我們需要先做什么（）

A、明確測(cè)試目的
B、明確測(cè)試區(qū)域
C、檢查測(cè)試設(shè)備
D、做好突發(fā)預(yù)案

3.多項(xiàng)選擇題目前LTE支持的調(diào)制方式有（）

A、QPSK
B、16QAM
C、64QAM

5.多項(xiàng)選擇題已經(jīng)確定的S1接口的信令過(guò)程有

A、SAE承載信令過(guò)程，包括SAE承載建立和釋放過(guò)程
B、切換信令過(guò)程,尋呼過(guò)程
C、NAS信令傳輸功能
D、NAS傳輸過(guò)程，包括上行方向的初始UE和下行鏈路的直傳