A、ADD CELLSIMULOAD
B、ADD CELLOP
C、ADD CELLRESELGPRAN
D、ADD CELLEXTENDEDQCI
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A、PDSCH
B、PBCH
C、PDCCH
D、物理尋呼信道
A、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormRel/L.E-RANormRel*100%
B、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormRel/(L.E-RANormRel+L.E-RAAbnormRel)*100%
C、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormRel/L.E-RASuccEst*100%
A、Call Drop Rate=eRAB Abnorm Rel/eRAB Setup Success*100%
B、Call Drop Rate=eRAB Abnorm Rel/RRC Connection Setup Success*100%
C、Call Drop Rate=eRAB Abnorm Rel/eRAB Release Total*100%
D、Call Drop Rate=eRAB Abnorm Rel/eRAB NormRel*100%
A、當(dāng)存在上行干擾時(shí),那么對(duì)幾乎所有的KPI都會(huì)產(chǎn)生影響
B、可以通過(guò)優(yōu)化基站參數(shù)來(lái)消除上行干擾
C、所有通道會(huì)同時(shí)收到干擾信號(hào),在小區(qū)無(wú)業(yè)務(wù)時(shí),RSSI的值也會(huì)較大
D、可以通過(guò)頻譜檢測(cè)檢測(cè)跟蹤工具,定位干擾源的大小、頻點(diǎn)、帶寬信息
A、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormalRel/L.E-RANormal*100%
B、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormalRel/(L.E-RAAbnormalRel+L.E-RANormal)*100%
C、Call Drop Rate=L.E-RAAbnormalRel/
最新試題
用以測(cè)試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
站點(diǎn)勘察時(shí)需要收集的信息句括()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
t304定時(shí)器設(shè)置過(guò)大,會(huì)導(dǎo)致()。
TAC越大,尋呼信道容量越小。
LTE的規(guī)劃包括()。
3GPP標(biāo)準(zhǔn)傳播模型存在局限性,導(dǎo)致在實(shí)測(cè)中出現(xiàn)偏差,因此需要針對(duì)真實(shí)場(chǎng)景做CW測(cè)試。
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
對(duì)基站進(jìn)行節(jié)能時(shí),可以考慮在晚上0∶00以后將PB利用率低于30%的站點(diǎn)關(guān)閉。