單項(xiàng)選擇題目前TD-LTE基帶芯片的最高工藝為多少工藝水平？
A、65nm
B、45nm
C、28nm
D、90nm
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1.單項(xiàng)選擇題4G終端是移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)，中國(guó)移動(dòng)將在今年采購(gòu)超過（）部LTE終端，
以推動(dòng)TD-LTE終端規(guī)?；l(fā)展。
A、0.8億
B、1億
C、1.5億
D、2億
2.單項(xiàng)選擇題TD-LTE中，判斷終端是否處于小區(qū)覆蓋邊緣主要通過（）
A、CRS-SINR
B、RSRP
C、RSSI
D、RSRQ
3.單項(xiàng)選擇題目前NFC卡中的PBOC應(yīng)用由哪個(gè)機(jī)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試？
A、中國(guó)移動(dòng)
B、人民銀行
C、銀聯(lián)
D、銀行卡檢測(cè)中心
4.單項(xiàng)選擇題NFC技術(shù)的最遠(yuǎn)視距通信距離
A、約1cm
B、約10cm
C、約50cm
D、約2m
5.單項(xiàng)選擇題某用戶已有GSM智能手機(jī)（含用戶卡1），后又購(gòu)買TD-LTEMiFi（含用戶卡2），
兩個(gè)終端都開機(jī)。當(dāng)用戶的GSM智能手機(jī)通過WiFi接入TD-LTEMiFi的方式來上網(wǎng)時(shí)，
關(guān)于用戶賬單，下面說法中正確的有（）
A、用戶卡1和用戶卡2都會(huì)計(jì)費(fèi)
B、用戶卡1計(jì)費(fèi)，用戶卡2不計(jì)費(fèi)
C、用戶卡1不計(jì)費(fèi)、用戶卡2計(jì)費(fèi)
D、用戶卡1和用戶卡2都不計(jì)費(fèi)
最新試題
關(guān)于鄰區(qū)切換失敗的可能原因，下列說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
TAC越大，尋呼信道容量越小。
題型：判斷題
t304定時(shí)器設(shè)置過大，會(huì)導(dǎo)致（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
對(duì)基站進(jìn)行節(jié)能時(shí)，可以考慮在晚上0∶00以后將PB利用率低于30%的站點(diǎn)關(guān)閉。
題型：判斷題
無線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
用以測(cè)試駐波的儀器是（），一般駐波比小于（）為正常。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高，一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
題型：判斷題
直放站增益設(shè)置時(shí)，為了抵消底噪，上行增益要大于下行增益。
題型：判斷題
VoLTE網(wǎng)絡(luò)中MME可以為UE分配P-CSCF地址。
題型：判斷題
LTE的規(guī)劃包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題