A.98
B.151
C.97
D.227
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A.信號(hào)占空比超標(biāo)
B.信號(hào)上升緩慢
C.6個(gè)信號(hào)的異常組合
D.信號(hào)抖動(dòng)過大
A.Width
B.Edge
C.Glitch
D.State
A.高通
B.低通
C.帶阻
D.帶通
A.物理層；鏈路層；網(wǎng)絡(luò)層
B.物理層；網(wǎng)絡(luò)層；鏈路層
C.物理層；鏈路層；傳輸層
D.鏈路層；鏈路層；網(wǎng)絡(luò)層
A.PCI總線是一個(gè)16位寬的總線
B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的
C.PCI是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn)，可以支持多種處理器
D.PCI支持即插即用功能
最新試題
捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式（）進(jìn)行觸發(fā)。
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警，關(guān)于處理此告警說法正確的是：（）
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
某電路，對(duì)100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。
關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于FIU板的描述正確的有：（）
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口，提高了網(wǎng)絡(luò)性能。（）