（）是先做一個(gè)對(duì)照實(shí)驗(yàn)，再完成正式實(shí)驗(yàn)，將兩次實(shí)驗(yàn)的腦功能圖像或數(shù)據(jù)相減，所得的差值或圖像中的激活區(qū)，作為該項(xiàng)認(rèn)知功能的腦功能基礎(chǔ)。

裂腦人實(shí)驗(yàn)證明了（）

記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）

簡(jiǎn)述兒童注意缺陷多動(dòng)障礙（ADHD）的研究進(jìn)展。

簡(jiǎn)述記憶痕跡理論的主要觀點(diǎn)。

注意的丘腦網(wǎng)狀核閘門學(xué)說(shuō)認(rèn)為，丘腦網(wǎng)狀核只接受從（）來(lái)的下行纖維，當(dāng)大量高位反饋的下行沖動(dòng)引起它的興奮，就會(huì)對(duì)（）產(chǎn)生抑制功能，使大量干擾項(xiàng)的刺激信息很難傳入腦高級(jí)中樞。

慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽(yáng)性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。

20世紀(jì)80年代以來(lái)，人們將智力分為（）和（）兩種。

自上而下的信息流距離，可分為哪些反饋聯(lián)系？（）

間腦包含哪幾個(gè)部分？（）