單項(xiàng)選擇題電力晶體管GTR有（）個(gè)PN結(jié)。
A.1
B.2
C.3
D.4
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1.單項(xiàng)選擇題國內(nèi)外PLC各生產(chǎn)廠家都把（）作為第一用戶編程語言。
A.梯形圖
B.指令表
C.邏輯功能圖
D.C語言
2.單項(xiàng)選擇題微機(jī)的核心是（）。
A.存儲(chǔ)器
B.總線
C.CPU
D.I/O接口
3.單項(xiàng)選擇題電力晶體管GTR內(nèi)部電流是由（）形成的。
A.電子
B.空穴
C.電子和空穴
D.有電子但無空穴
4.單項(xiàng)選擇題在硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，限流電阻R的作用是（）
A.既限流又降壓
B.既限流又調(diào)壓
C.既降壓又調(diào)壓
D.既調(diào)壓又調(diào)流
5.單項(xiàng)選擇題0.4千伏以下的變壓器檢修后，一般要求絕緣電阻不低于（）兆歐。
A.0.5
B.90
C.200
D.220
最新試題
用S7-200PLC的順序控制功能進(jìn)行編程，以下說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
電力功率調(diào)整器控制負(fù)載中（），是通過在電源的零點(diǎn)處進(jìn)行通斷控制，通過改變占空比控制負(fù)載的功率。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于臨時(shí)供用電設(shè)備，下列選項(xiàng)中，不符合電箱設(shè)置的要求是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
用ICT-33C型數(shù)字集成電路測(cè)試儀判別555芯片好壞，下列說法正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
電壓負(fù)反饋直流調(diào)速裝置對(duì)（）所造成的擾動(dòng)，電壓負(fù)反饋也無法克服。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于中高頻淬火設(shè)備特點(diǎn)說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
調(diào)功器作為可控硅電力開關(guān)設(shè)備，按調(diào)功器主回路通斷輸出方式可分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三菱變頻器產(chǎn)品有D800、F800、A800，E800，其中能實(shí)現(xiàn)高性能矢量控制的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
以下（）不可用做UPS內(nèi)部的蓄電池。
題型：單項(xiàng)選擇題
相控整流電路中的晶閘管送上觸發(fā)信號(hào)后還不導(dǎo)通，可能的原因是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題