單項(xiàng)選擇題48伏中達(dá)開(kāi)關(guān)電源浮充電壓為（）。
A、54V
B、44V
C、56.4V
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題-48V電源系統(tǒng)第2次下電的電壓值，應(yīng)設(shè)定為（）。
A、-48.0V
B、-46.0V
C、-43.2V
D、-40.0V
2.單項(xiàng)選擇題3GPP定義的一個(gè)TDMA幀長(zhǎng)度（）。
A、20ms
B、40ms
C、5ms
D、10ms
3.單項(xiàng)選擇題30/32的PCM系統(tǒng)中，用于傳輸同步信號(hào)的時(shí)隙是（）
A、0時(shí)隙
B、16時(shí)隙
C、28時(shí)隙
D、32時(shí)隙
4.單項(xiàng)選擇題2臺(tái)UPS冗余并機(jī)系統(tǒng)，每臺(tái)UPS的負(fù)載率不超過(guò)（）。
A、0.5
B、0.4
C、0.8
D、0.3
5.單項(xiàng)選擇題2個(gè)10Ω的電阻串聯(lián)之后，總電阻為（）
A、5Ω
B、10Ω
C、20Ω
D、40Ω
最新試題
PLMN參數(shù)配置位于下（）中。
題型：填空題
RNC與NodeB的接口是（）
題型：填空題
TD-LTE日常所說(shuō)的D頻段指（）頻段
題型：填空題
TD幀結(jié)構(gòu)將每個(gè)無(wú)線幀分成（）個(gè)5ms子幀，每個(gè)子幀中有（）個(gè)常規(guī)時(shí)隙和（）個(gè)特殊時(shí)隙。（）
題型：填空題
測(cè)量GSM直放站設(shè)備的下行增益時(shí)，需要測(cè)試的指標(biāo)是（）
題型：填空題
SDCCH上能承載（）業(yè)務(wù)
題型：填空題
TD-SCDMA不支持的一項(xiàng)切換技術(shù)是（）。
題型：填空題
RNC等價(jià)于GSM網(wǎng)絡(luò)中的（）
題型：填空題
RRC是（）接口上的信令處理協(xié)議。
題型：填空題
TD-SCDMA系統(tǒng)中，一個(gè)專(zhuān)門(mén)分配給下行鏈路的常規(guī)時(shí)隙是（）。
題型：填空題