A.高速緩存存儲(chǔ)器
B.總線
C.寄存器
D.I/O設(shè)備
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A.優(yōu)化程序性能
B.理解鏈接時(shí)出現(xiàn)的錯(cuò)誤
C.避免安全漏洞
D.避免出現(xiàn)算法錯(cuò)誤
A.預(yù)處理器->匯編器->編譯器->鏈接器
B.預(yù)處理器->編譯器->匯編器->鏈接器
C.編譯器->預(yù)處理器->鏈接器->匯編器
D.預(yù)處理器->編譯器->鏈接器->匯編器
A.256 22 8 2
B.256 24 5 3
C.32 22 5 3
D.32 24 8 2
A.不同存儲(chǔ)器技術(shù)的訪問(wèn)時(shí)間差異很大，速度較快的技術(shù)每字節(jié)的成本要比速度較慢的技術(shù)高，而且容量較小
B.不同存儲(chǔ)器技術(shù)的訪問(wèn)時(shí)間差異很小，CPU和主存之間的速度差距在增大
C.速度較快的存儲(chǔ)器技術(shù)毎字節(jié)的成本要比速度較慢的技術(shù)高，而且容量更大，CPU和主存之間的速度差距在減小
D.不同存儲(chǔ)器技術(shù)的訪問(wèn)時(shí)間差異很大，CPU和主存之間的速度差距在減小
A.重復(fù)引用一個(gè)變量的程序具有好的時(shí)間局部性
B.對(duì)于具有步長(zhǎng)為k的引用模式的程序，步長(zhǎng)越小，空間局部性越好
C.具有步長(zhǎng)為1的引用模式的程序有很好的空間局部性。在存儲(chǔ)器中以大步長(zhǎng)跳來(lái)跳去的程序空間局部性會(huì)很差
D.對(duì)于取指令來(lái)說(shuō)，循環(huán)有很好的時(shí)間和空間局部性。循環(huán)體越大，循環(huán)迭代次數(shù)越多，局部性越好
最新試題
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫(xiě)的程序可以由（）進(jìn)行解釋。
（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。