硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性（1）無論是動(dòng)態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器，都是由（）、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。（2）在Cache的三種映像方式中，（）實(shí)際上是對另外兩種映像方式的折中，是它們的普遍形式。（3）計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中，（）是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。（4）虛擬存儲器有三種地址空間，其中（）用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。（5）多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)，是建立在程序運(yùn)行的（）原理之上的。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

計(jì)算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。