A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
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A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
A.垂直線性
B.水平線性
C.晶片尺寸
D.頻率與K值
E.探頭形式
A.始波寬度
B.入射點(diǎn)
C.聲束寬度
D.回波頻率
E.K值
A.聲速
B.聲壓
C.聲強(qiáng)
D.內(nèi)應(yīng)力
E.外應(yīng)力
A.工件表面粗糙度
B.工件材質(zhì)
C.工件表面形狀
D.工件邊界
E.工件溫度
最新試題
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié),當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí),儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化,影響缺陷定位精度。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位,必要時(shí)可加匹配線圈。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。
動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
檢測(cè)曲面工件時(shí),探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。