A.半衰期短,能量低
B.半衰期長(zhǎng),能量低
C.半衰期短,能量高
D.半衰期長(zhǎng),能量高
E.劑量分布差,操作復(fù)雜
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A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
A.射線質(zhì)
B.射線入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴于電離室的幾何形狀
B.依賴于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動(dòng)能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
直線加速器使用的射野最大為()。