A.腔內(nèi)散射擾動效應(yīng)小
B.有效測量點(diǎn)易于確定
C.對電子束吸收劑量的校準(zhǔn)精度高
D.對沿線束入射方向劑量梯度變化較大的區(qū)域有較高的測量精度
E.以上各項(xiàng)
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A.1Bq=2.703×10-5Ci
B.1Bq=2.703×10-7Ci
C.1Bq=2.703×10-11Ci
D.1Bq=3.703×10-5Ci
E.1Bq=3.703×10-7Ci
A.J
B.J/m2
C.J/m2/S
D.Mev
E.Mv
A.質(zhì)子
B.快中子
C.電子
D.π負(fù)介子
E.氧離子
A.幾何半影
B.穿射半影
C.散射半影
D.物理半影
E.有效半影
A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型
最新試題
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。