A.0.1r
B.0.3r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
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你可能感興趣的試題
A.電離室的幾何尺寸
B.工作電壓的選擇
C.正離子產(chǎn)生的速率
D.負(fù)離子產(chǎn)生的速率
E.電離輻射的入射方向
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
A.表示該元素在周期表中的位置
B.表示原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)的多少
C.表示原子核外電子數(shù)的多少
D.表示原子核內(nèi)質(zhì)子數(shù)的多少
E.表示原子核電荷核數(shù)的多少
A.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是射野的等劑量分布曲線
B.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是不同深度處的射野離軸比
C.DAY法使用的計(jì)算數(shù)據(jù)是射野中心軸上的百分深度劑量
D.DAY法只能用于射野內(nèi)任意點(diǎn)劑量計(jì)算
E.DAY法只能用于射野外任意點(diǎn)劑量計(jì)算
A.高能X線
B.高能電子束
C.中低能X線
D.鈷60γ射線
E.質(zhì)子束
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
直線加速器使用的射野最大為()。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。