記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）

慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽(yáng)性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。

裂腦人實(shí)驗(yàn)證明了（）

簡(jiǎn)述知覺(jué)加工的信息流。

軀體感覺(jué)包含（）

簡(jiǎn)述自閉癥譜系障礙（ASD）的核心癥狀、重型和輕型表現(xiàn)。

論述面孔認(rèn)知的整體加工理論和專家理論。

注意的丘腦網(wǎng)狀核閘門學(xué)說(shuō)認(rèn)為，丘腦網(wǎng)狀核只接受從（）來(lái)的下行纖維，當(dāng)大量高位反饋的下行沖動(dòng)引起它的興奮，就會(huì)對(duì)（）產(chǎn)生抑制功能，使大量干擾項(xiàng)的刺激信息很難傳入腦高級(jí)中樞。

簡(jiǎn)述體液調(diào)節(jié)在攝食行為中的作用。

（）居于大腦和中腦之間，被大腦半球所遮蓋。